瞧一瞧：斯达或将募资35亿元,用于SiC芯片项目-电子发烧友网

3月2日晚间，斯达半导体发布2021年度非公开发行 A 股股票预案（以下简称预案），计划非公开发行股票，募集资金总额不超过35亿元，其中，20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目，7亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目。

斯达半导体介绍，高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化的项目，拟通过新建厂房及仓库等配套设施，购置光刻机、显影机、刻蚀机、PECVD、退火炉、电子显微镜等设耕地上建房必须强拆吗
备，实现高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化。项目达产后，预计将形成年产36万片功率半导体芯片的生产能力。

据了解，此次项目，斯达半导体将利用现有厂房实施生产线自动化改造，购置全自动划片机、在线式全自动印刷机、在线式全自动贴片机、在线式全自动真空回流炉、在线式全自动清洗机等设备，实施功率半导体模块生产线自动化改造项目。项目达产后，预计将形成新增年产 400万片的功率半导体模块生产能力。

“碳化硅是功率半导体未来趋势，特别是在高压大功率领域，有着无可比拟的优势，可以广泛应用于新能源汽车、交通、工业等领域。此外，我国第三代半导体技术与国际相比，并没有像硅基半导体差距那么大。斯达半导体此次布局，有希望缩短在该领域与国际巨头的差距。” 天津集成电路行业协会顾问、创道投资咨询总经理步日欣向记者说道。第三代半导体具备高频、高效、高功率、耐高温高压等特点，符合节能减排、智能制造等国家重大战略需求。此次投资，意味着斯达半导体将持续扩大以 IGBT模块、SiC模块为代表的功率半导体模块产能，从而能够有效稳固公司行业地位。